IGBT trumpojo jungimo atlaikyti pajėgumų
Dėl IGBT trumpojo jungimo atlaikyti laiko yra susijęs su jos transconductance arba pelnas ir šiluminė galia IGBT lustą. Didesnis pelnas rezultatas didesnis trumpojo jungimo srovių per IGBT, todėl aišku, kad mažesnis pelnas IGBT turi žemesnio lygio trumpojo jungimo. Tačiau didesnis pelnas taip pat sukelti apatinės apie būsenų laidumo nuostolius ir kompromisai turi atlikti. IGBT technologija plėtra prisideda prie didinimas dėl trumpojo jungimo dabartinio lygio, tačiau sumažinti dėl trumpojo atlaikyti laiko. Be to, susijusius su technologijos pažanga atvedė į mažesnių dydžių lustas, sumažino modulio matmenys, bet sumažinta šiluminė talpa ir toliau mažinti nuokrypio laikas.
Be to, ji turi didelį ryšį su IGBT rinktuvas-kolektorius įtampos, todėl lygiagrečiai mados pramonės automobiliu linkęs didesnį DC autobusų įtampa dar labiau sumažina trumpojo jungimo atlaikyti laiko. Anksčiau šis laiko intervalas buvo 10 μs, tačiau pastaraisiais metais buvo tendencija kryptimi 5 μs 3 ir tam tikromis sąlygomis iki 1 μs.
Be to, kad jungimo atlaikyti laiko įvairių prietaisų taip pat yra gana skirtingi, todėl IGBT apsaugos grandinių, paprastai rekomenduojama statyti daugiau skirtumo nei nominali trumpojo atlaikyti laiko.
Jei norite pirkti ventiliatoriaus variklis, Atkreipkite dėmesį į ventiliacijos variklis.
